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晶体管
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FDMC8878

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库存:68,274(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.4524
8.4524
10
¥7.232
72.32
100
¥5.5596
555.96
500
¥4.9155
2457.75
3,000
¥3.4352
10305.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Power-33-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
16.5 A
Rds On-漏源导通电阻
9.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
FDMC8878
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
180 mg
商品其它信息
优势价格,FDMC8878的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.3843
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
2,000:¥0.3616
参考库存:30468
晶体管
MOSFET N Channel FET 250V, 360mA
1:¥6.3054
10:¥5.4918
25:¥4.859
50:¥4.7008
1,000:¥2.2148
参考库存:4175
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
1:¥73.5404
10:¥66.1615
25:¥60.3194
50:¥56.1723
参考库存:4182
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5312
100:¥1.5707
500:¥1.4125
3,000:¥0.88366
9,000:查看
参考库存:12014
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 350V 80W PNP
1:¥22.2836
10:¥18.984
100:¥15.142
500:¥13.2888
1,000:¥10.9836
参考库存:7261
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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