RN2118MFV(TPL3)详细信息_RN2118MFV(TPL3)相关参数PDF

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：36,084(价格仅供参考)

数量	单价	合计
暂无价格,请联系询价

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	4.7
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2118
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	- 25 V
高度	1.2 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.5 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN2118MFV(TPL3)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SPP80N03S2L-04	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3	1:¥18.9049 10:¥16.0573 100:¥12.8368 500:¥11.2209	参考库存:3168
LND150N3-G-P002	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET DepletionMode MOSFET	1:¥3.9211 10:¥3.8985 25:¥3.2431 100:¥3.0058 2,000:¥3.0058	参考库存:10920
IRF9953TRPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 2.3A	1:¥5.9212 10:¥4.9155 100:¥3.1753 1,000:¥2.5425 4,000:¥2.5425	参考库存:21587
15GN03CA-TB-E	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 70MA 10V FT=1.5G	1:¥2.9154 10:¥1.8532 100:¥0.79891 1,000:¥0.61472 3,000:¥0.46895	参考库存:20034
HUF75321P3	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 35A 55V N-Channel UltraFET	1:¥8.0682 10:¥6.9043 100:¥5.2997 500:¥4.6895 1,000:¥3.7064	参考库存:14511