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晶体管
NTJD4158CT1G参考图片

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NTJD4158CT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET PFET 20V .88A 1OHM
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库存：138,263(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.3843
23.843
100
¥1.2882
128.82
1,000
¥0.96841
968.41
3,000
¥0.83733
2511.99
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V, 20 V
Id-连续漏极电流
250 mA, 880 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms, 500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV, 450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V, - 2.5 V
Qg-栅极电荷
0.9 nC, 2.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
270 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTJD4158C
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.08 S, 3 S
下降时间
78 ns, 3.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
66 ns, 6.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
56 ns, 13.5 ns
典型接通延迟时间
15 ns, 5.8 ns
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格，NTJD4158CT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP80N06S2H5AKSA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥19.6733
10:¥16.6788
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:6660
DTB114ECT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -500mA/-50V w/bias resistors
1:¥2.3052
10:¥1.5707
100:¥0.66105
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.35369
参考库存:26242
BSS138W H6327
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch SOT-323-3
1:¥2.6894
10:¥1.7402
100:¥0.7458
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:581564
SUA70090E-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥12.5204
10:¥10.3734
100:¥8.0682
500:¥7.0286
参考库存:40621
VS-CPV363M4UPBF
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 晶体管 600 Volt 6.8 Amp
1:¥462.1926
5:¥453.6611
10:¥434.9935
25:¥421.3092
参考库存:4901

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    物料均可追溯

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