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晶体管
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RCX081N20

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.6839
56.839
100
¥4.3618
436.18
500
¥3.8533
1926.65
1,000
¥3.0397
3039.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
550 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.25 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
8.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
RCX081N20
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
RCX081N20
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，RCX081N20的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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45,000:¥0.29154
参考库存:185043

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    50万现货SKU

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