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晶体管
SPP80N03S2L-04参考图片

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SPP80N03S2L-04

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数量单价合计
1
¥18.9049
18.9049
10
¥16.0573
160.573
100
¥12.8368
1283.68
500
¥11.2209
5610.45
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
105 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
SPP80N03
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
11.5 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
54 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
SP000013902 SPP80N03S2L04AKSA1 SPP8N3S2L4XK
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SPP80N03S2L-04的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ULN2003AINE4
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1,175:¥2.6781
2,000:¥2.4182
5,000:¥2.2487
10,000:¥2.1696
参考库存:45785
IRGS6B60KDTRLP
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V 5A
800:¥10.4525
2,400:¥9.6841
4,800:¥9.379
9,600:¥8.9948
参考库存:45790
JANTX2N5339
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥142.3122
10:¥129.3172
25:¥119.6444
50:¥113.1808
参考库存:2868
BSM50GB120DLC
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晶体管
IGBT 模块 1200V 50A DUAL
1:¥556.864
5:¥546.5584
10:¥532.5012
25:¥521.9696
参考库存:2580
CGH60030D-GP4
Wolfspeed / Cree
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
10:¥561.6213
参考库存:2667

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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    明码标价节省时间成本

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