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晶体管
AUIRF1010ZL参考图片

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AUIRF1010ZL

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
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库存:3,848(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.6733
19.6733
10
¥16.6788
166.788
100
¥13.3679
1336.79
500
¥11.6842
5842.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
94 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
92 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
150 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SP001519960
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格,AUIRF1010ZL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 15A
20:¥319.6544
40:¥306.2865
100:¥277.5506
260:¥267.9456
参考库存:30706
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥2.0679
20,000:¥1.9775
参考库存:30711
晶体管
MOSFET 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet
15,000:¥3.4465
24,375:¥3.3674
参考库存:30716
晶体管
MOSFET T6 40V HEFET
5,000:¥6.9608
10,000:¥6.6896
参考库存:30721
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
400:¥394.3474
参考库存:30726
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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