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晶体管
FB10R06KL4G_B1参考图片

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FB10R06KL4G_B1

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库存:30,706(价格仅供参考)
数量单价合计
20
¥319.6544
6393.088
40
¥306.2865
12251.46
100
¥277.5506
27755.06
260
¥267.9456
69665.856
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
封装 / 箱体
EASY2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
55.9 mm
宽度
45.6 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
20
子类别
IGBTs
零件号别名
FB10R06KL4GB1BOMA1 SP000100289
商品其它信息
优势价格,FB10R06KL4G_B1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enhance
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.82264
1,000:¥0.63054
3,000:¥0.47686
参考库存:263839
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V HG Tran.
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:34736
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V LOW SAT BP
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
2,000:¥1.7628
参考库存:18673
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 300A 1200V
1:¥1,064.46
5:¥1,043.5663
10:¥994.9198
25:¥974.0261
参考库存:4145
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥90.7503
10:¥82.5239
25:¥76.2976
50:¥72.1505
参考库存:4352
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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