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晶体管
BFP 640FESD H6327参考图片

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BFP 640FESD H6327

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库存:27,339(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5369
35.369
100
¥2.1583
215.83
1,000
¥1.6724
1672.4
3,000
¥1.4238
4271.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP640
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
发射极 - 基极电压 VEBO
4.8 V
集电极连续电流
50 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4-1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP640FESDH6327XTSA1 BFP64FESDH6327XT SP000890034
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 640FESD H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Enhance
1:¥2.9154
10:¥1.9097
100:¥0.82264
1,000:¥0.63054
3,000:¥0.47686
参考库存:263839
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V HG Tran.
1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:34736
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V LOW SAT BP
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
2,000:¥1.7628
参考库存:18673
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 300A 1200V
1:¥1,064.46
5:¥1,043.5663
10:¥994.9198
25:¥974.0261
参考库存:4145
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥90.7503
10:¥82.5239
25:¥76.2976
50:¥72.1505
参考库存:4352
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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