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晶体管
TSM60NB900CP ROG参考图片

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TSM60NB900CP ROG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet
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库存:30,716(价格仅供参考)
数量单价合计
15,000
¥3.4465
51697.5
24,375
¥3.3674
82080.375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
690 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
9.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
36.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36.4 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,TSM60NB900CP ROG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages
1:¥47.5617
10:¥43.0304
25:¥41.0303
100:¥35.5724
参考库存:7609
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 3A
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,000:¥1.7176
参考库存:10441
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥11.752
10:¥9.6841
100:¥7.458
500:¥6.4071
1,000:¥5.0624
3,000:¥4.7234
参考库存:2648
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
2,000:¥1.4577
参考库存:129805
晶体管
达林顿晶体管 PNP Power Darlington
1:¥6.7574
10:¥5.6613
100:¥3.6612
1,000:¥2.9267
参考库存:11232
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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