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IPL65R1K5C6SATMA1

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库存：4,228(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.4524
8.4524
10
¥7.232
72.32
100
¥5.5596
555.96
500
¥4.9155
2457.75
5,000
¥3.4352
17176
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ThinPAK-56-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26.6 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
6 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
18.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.9 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
7.7 ns
零件号别名
IPL65R1K5C6S SP001163086
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格，IPL65R1K5C6SATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI6441DQ-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 8.0A 1.08W
3,000:¥9.831
6,000:¥9.4468
9,000:¥9.0626
参考库存:32348
2N3442
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥276.7822
250:¥258.3406
参考库存:32353
APTGT300A120D3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,266.8656
参考库存:32358
PTFB201402FC-V2-R0
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥548.8636
参考库存:32363
D3S190N65F-U
D3
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1,000:¥7.9891
2,500:¥7.4693
5,000:¥7.1868
10,000:¥6.9156
参考库存:32368

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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