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晶体管
SI4825DDY-T1-GE3参考图片

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SI4825DDY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
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数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥5.9777
59.777
100
¥4.5878
458.78
500
¥3.955
1977.5
2,500
¥3.955
9887.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14.9 A
Rds On-漏源导通电阻
12.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI4
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
28 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
SI4825DDY-GE3
单位重量
187 mg
商品其它信息
优势价格,SI4825DDY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
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1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
2,000:¥0.33787
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥5.763
10:¥4.746
100:¥3.0623
1,000:¥2.4521
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
2,000:¥1.6724
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1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
8,000:¥0.35369
24,000:查看
参考库存:93130
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