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晶体管
2SA1943N(S1,E,S)参考图片

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2SA1943N(S1,E,S)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
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库存：7,957(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.0575
20.0575
10
¥16.2155
162.155
100
¥14.5996
1459.96
250
¥12.9837
3245.925
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3P-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 230 V
集电极—基极电压 VCBO
- 230 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 1.1 V
最大直流电集电极电流
- 15 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SA1943N
直流电流增益 hFE 最大值
160
商标
Toshiba
集电极连续电流
- 15 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
35
Pd-功率耗散
150 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，2SA1943N(S1,E,S)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP3012LPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 30Vgss 6807pF 139nC
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.825
参考库存:10757
IPD80R2K7C3AATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTOMOTIVE
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0851
2,500:¥4.9607
10,000:查看
参考库存:17179
2DA1774Q-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥2.8476
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:23681
STP40NF10
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp
1:¥16.5997
10:¥14.0572
100:¥11.30
500:¥9.831
参考库存:11958
CPH6102-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1A 50V
1:¥3.2318
10:¥2.4634
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:48635

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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