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晶体管
BSC019N02KS G参考图片

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BSC019N02KS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 20V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
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库存:101,468(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.7522
15.7522
10
¥13.3679
133.679
100
¥10.6785
1067.85
500
¥9.379
4689.5
1,000
¥7.7631
7763.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
1.95 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
187 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
95 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
BSC019N02KSGAUMA1 BSC19N2KSGXT SP000307376
商品其它信息
优势价格,BSC019N02KS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 40V 30W NPN
1:¥4.6104
10:¥3.8307
100:¥2.4634
1,000:¥1.9775
参考库存:7488
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-CURRENT SWITCHING
1:¥4.5313
10:¥3.8307
100:¥2.4634
700:¥1.9775
2,100:¥1.6611
参考库存:16545
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 1.8W 10mW 50mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:2677
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥3.616
10:¥2.4182
100:¥1.5029
500:¥1.3447
3,000:¥0.84524
9,000:查看
参考库存:27314
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=-0.72A VDSS=-20V
1:¥3.5369
10:¥2.3504
100:¥1.3108
1,000:¥0.9605
4,000:¥0.82264
参考库存:33071
  • 海量现货

    50万现货SKU

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