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晶体管
TK6Q60W,S1VQ参考图片

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TK6Q60W,S1VQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
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数量单价合计
1
¥13.9894
13.9894
10
¥11.30
113
100
¥8.9948
899.48
500
¥7.91
3955
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
6.2 A
Rds On-漏源导通电阻
680 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
6.1 mm
长度
6.65 mm
系列
TK6Q60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.3 mm
商标
Toshiba
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
40 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK6Q60W,S1VQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFS4C020NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
1:¥41.8778
10:¥35.5724
100:¥30.8942
250:¥29.2783
5,000:¥20.2835
参考库存:35165
DMN2041UFDB-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V Dual N-Ch Enh 12Vgs 1.4W 713pF
10,000:¥2.5764
参考库存:35170
MRFX035H-30MHZ
NXP Semiconductors
晶体管
射频开发工具 MRFX035H-30MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥6,915.826
参考库存:35180
APT5018BFLLG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥109.8812
5:¥105.5759
10:¥101.587
25:¥93.3606
参考库存:35185
DMP2035UVTQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.616
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
2,500:¥0.97632
10,000:¥0.90626
参考库存:54740

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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    物料均可追溯

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