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晶体管
TK6Q60W,S1VQ参考图片

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TK6Q60W,S1VQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
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数量单价合计
1
¥13.9894
13.9894
10
¥11.30
113
100
¥8.9948
899.48
500
¥7.91
3955
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
6.2 A
Rds On-漏源导通电阻
680 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
6.1 mm
长度
6.65 mm
系列
TK6Q60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.3 mm
商标
Toshiba
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
40 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK6Q60W,S1VQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MPS8098
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60Vcbo 60Vceo 6.0Vebo 500mA 625mW
1:¥3.1527
10:¥2.6668
100:¥1.6724
1,000:¥1.2656
参考库存:17748
SI7463DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
1,000:¥10.5316
3,000:¥10.5316
参考库存:39850
MMBT3904LT1HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.2A
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:257342
STL9N65M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
3,000:¥6.1585
参考库存:45186
BCX 70K E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 45V 0.1A
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:182984

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