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晶体管
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MJ11033G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 50A 120V Bipolar Power PNP
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数量单价合计
1
¥122.2547
122.2547
10
¥112.4124
1124.124
20
¥107.7342
2154.684
100
¥94.8974
9489.74
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
最大直流电集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
300 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2 (TO-3)
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJ11033
封装
Tray
高度
8.51 mm
长度
38.86 mm
宽度
26.67 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
50 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
400, 1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
14.061 g
商品其它信息
优势价格，MJ11033G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2DD2656-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VSAT NPN SMT 3K
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:76035
FCX717TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Low Saturation
1:¥4.8364
10:¥4.0228
100:¥2.4634
1,000:¥1.8984
2,000:¥1.6159
参考库存:16037
DMS2220LFDB-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 20V 3.5A P-CHNL
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:16039
BFP181E7764HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:45841
2SB1205T-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 20V
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
700:¥2.0566
2,100:¥1.7402
参考库存:11253

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