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晶体管
2N5550TAR参考图片

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2N5550TAR

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
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数量单价合计
1
¥1.695
1.695
10
¥1.10627
11.0627
100
¥0.46104
46.104
1,000
¥0.31527
315.27
2,000
¥0.24634
492.68
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3 Kinked Lead
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
140 V
集电极—基极电压 VCBO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.25 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N5550
直流电流增益 hFE 最大值
250
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Ammo Pack
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
2N5550TAR_NL
单位重量
240 mg
商品其它信息
优势价格,2N5550TAR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥3.616
10:¥2.0001
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1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:6459
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