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晶体管
JANTXV2N4449/TR参考图片

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JANTXV2N4449/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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数量单价合计
100
¥177.8055
17780.55
250
¥163.1268
40781.7
500
¥155.2959
77647.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-46-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.45 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
120 at 100 mA, 1 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
20 at 100 mA, 1 V
Pd-功率耗散
360 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，JANTXV2N4449/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK34E10N1,S1X
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS
1:¥11.2209
10:¥8.9948
100:¥6.8817
500:¥6.0794
参考库存:4847
2SA1182-Y,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:42429
J175
InterFET
晶体管
JFET JFET P-Channel -30V 50mA 360mW 3.27mW
1:¥27.5833
10:¥22.2045
100:¥18.2156
500:¥16.3624
参考库存:3061
DDB6U75N16W1R_B11
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 Bridge Rectifier 1200V
1:¥278.7032
5:¥272.556
10:¥260.0243
25:¥249.1876
参考库存:2528
MJB5742T4G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 BIP D2PAK XSTR TR
1:¥21.8203
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥12.9837
800:¥10.7576
参考库存:7695

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