RN2427TE85LF详细信息_RN2427TE85LF相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.22
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-346-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	90
最大工作频率	200 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 800 mA
峰值直流集电极电流	800 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2427
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	90
发射极 - 基极电压 VEBO	- 6 V
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	12 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2STF2550	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LV high performance PNP power transistor	1:¥3.1527 10:¥2.6329 100:¥1.6159 1,000:¥1.243 2,500:¥1.05994	参考库存:39866
SQJQ402E-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified	1:¥17.5941 10:¥16.4415 100:¥13.2888 500:¥10.3734 2,000:¥7.8422 4,000:查看	参考库存:13663
STP3N80K5	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected	1:¥13.9894 10:¥11.9102 100:¥9.5259 500:¥8.2942	参考库存:9015
DMP32D4S-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch ENH FET -30V 2.4mOhm -10V -300mA	1:¥2.8476 10:¥2.0227 100:¥0.92999 1,000:¥0.71416 10,000:¥0.5537 20,000:查看	参考库存:94017
DTC114TUAT106	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-323	1:¥1.4577 10:¥1.2882 100:¥0.45313 1,000:¥0.30736 3,000:¥0.23052	参考库存:46924