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晶体管
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FQAF11N90C

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数量单价合计
1
¥29.7416
29.7416
10
¥25.2781
252.781
100
¥21.8994
2189.94
250
¥20.8259
5206.475
500
¥18.6676
9333.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
7.2 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
26.7 mm
长度
15.7 mm
系列
FQAF11N90C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
5.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
85 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
360
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
60 ns
零件号别名
FQAF11N90C_NL
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格，FQAF11N90C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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24,000:¥3.2544
参考库存:31811

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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