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晶体管
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FQAF11N90C

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数量单价合计
1
¥29.7416
29.7416
10
¥25.2781
252.781
100
¥21.8994
2189.94
250
¥20.8259
5206.475
500
¥18.6676
9333.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
7.2 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
120 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
26.7 mm
长度
15.7 mm
系列
FQAF11N90C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
5.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
85 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
360
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
130 ns
典型接通延迟时间
60 ns
零件号别名
FQAF11N90C_NL
单位重量
7 g
商品其它信息
优势价格,FQAF11N90C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 60V 50W NPN
1:¥6.5314
10:¥5.5709
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10:¥2.1809
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1,000:¥0.7684
10,000:¥0.5989
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1:¥5.763
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1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
8,000:¥0.35369
24,000:查看
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A
1:¥2.7685
10:¥2.1131
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
8,000:¥0.69156
24,000:查看
参考库存:43698
  • 海量现货

    50万现货SKU

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