DTC115ECAT116详细信息_DTC115ECAT116相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	100 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	82
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	200 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	DTx
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	100 mV
商标	ROHM Semiconductor
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	DTC115ECA
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PUMT1,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP 40V 100mA	1:¥2.4634 10:¥1.7176 100:¥0.72207 1,000:¥0.49155 3,000:¥0.3842	参考库存:31289
2N4857A	InterFET	晶体管	PDF数据手册	JFET N-Ch -40V JFET -40V 1.8W 10mW 50mA	1:¥91.6656 10:¥75.145 100:¥62.3986 500:¥56.8616	参考库存:25871
PHE13007,127	WeEn Semiconductors	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RAIL PWR-MOS	1:¥4.9946 10:¥3.9776 100:¥2.5651 1,000:¥2.0566	参考库存:25876
VP0104N3-G P003	Microchip Technology	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET	1:¥4.6104 10:¥4.1471 25:¥3.4578 100:¥3.1527 250:¥2.9945 2,000:¥2.9945	参考库存:25881
BCX53-10,135	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE13	1:¥3.0736 10:¥2.1809 100:¥1.00683 1,000:¥0.7684 4,000:¥0.66105	参考库存:21216