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晶体管
BSO207PHXUMA1参考图片

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BSO207PHXUMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6218
66.218
100
¥5.085
508.5
500
¥4.4974
2248.7
1,000
¥3.5482
3548.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.7 A
Rds On-漏源导通电阻
32 mOhms, 32 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
- 16 nC, - 16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
BSO207
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
10 S, 10 S
下降时间
35 ns, 35 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns, 22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns, 33 ns
典型接通延迟时间
9 ns, 9 ns
零件号别名
BSO207P BSO27PHXT H SP000613832
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,BSO207PHXUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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