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晶体管
CSD19505KCS参考图片

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CSD19505KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 80V N-CH NexFET Pwr MOSFET
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库存:10,432(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.2836
22.2836
10
¥20.0575
200.575
100
¥16.3624
1636.24
250
¥15.368
3842
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
76 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD19505KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
262 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,CSD19505KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V/30A IGBT LPT TO-247
1:¥29.6625
10:¥25.199
100:¥21.8203
250:¥20.7468
500:¥18.5998
参考库存:2221
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:1643
晶体管
MOSFET HIGH POWER NEW
1:¥41.1094
10:¥34.9622
100:¥30.2727
250:¥28.7359
2,000:¥20.6677
4,000:查看
参考库存:100860
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL NPN 500mA
1:¥3.842
10:¥2.4634
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
10,000:¥0.5537
20,000:查看
参考库存:44644
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
参考库存:22947
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    科技智能大仓储

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