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晶体管
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NGTG30N60FLWG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V/30A IGBT LPT TO-247
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数量单价合计
1
¥29.6625
29.6625
10
¥25.199
251.99
100
¥21.8203
2182.03
250
¥20.7468
5186.7
500
¥18.5998
9299.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NGTG30N60FLWG
封装
Tube
商标
ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格，NGTG30N60FLWG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N3019S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥222.6778
5:¥211.536
10:¥206.0103
25:¥189.2524
参考库存:1929
TSM80N950CH C5G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 800V Power MOSFET Superjunction N-chan
1:¥14.0572
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥7.91
参考库存:1916
BC847CWH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:142873
2N3637UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥134.7751
10:¥122.4807
25:¥113.339
50:¥107.1918
参考库存:2175
JAN2N3507
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥272.1718
5:¥258.5666
10:¥251.8092
25:¥231.3675
参考库存:2127

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