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晶体管
IPP045N10N3 G参考图片

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IPP045N10N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
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库存：5,526(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.436
19.436
10
¥16.5206
165.206
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.6051
5802.55
1,000
¥9.605
9605
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
3.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
117 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
73 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
59 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
IPP045N10N3GXKSA1 IPP45N1N3GXK SP000680794
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP045N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N2222ACSM
Semelab / TT Electronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN TRANSISTOR
1:¥245.4247
10:¥199.7049
25:¥175.2743
50:¥153.454
参考库存:5226
DMN32D2LDF-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 350mw 30V DUAL
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:16678
BCX53-16-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP,Transistors,SOT-89 Package
1:¥4.6104
10:¥2.6555
100:¥1.5481
500:¥1.2656
1,000:¥0.96841
参考库存:9950
2SK3019-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
MOSFET N-Channel MOSFET, SOT-523 package
1:¥3.1527
10:¥2.8476
100:¥1.5933
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.51528
参考库存:34502
IRFHM8329TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 3nC Qg, PQFN 3.3x3.3
1:¥4.7686
10:¥3.9663
100:¥2.5538
1,000:¥2.0566
4,000:¥2.0566
参考库存:28514

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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