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晶体管
BSC150N03LD G参考图片

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BSC150N03LD G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存：11,573(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥6.102
61.02
100
¥4.6895
468.95
500
¥4.1471
2073.55
5,000
¥2.8928
14464
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
12.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
2.7 ns
零件号别名
BSC150N03LDGATMA1 BSC15N3LDGXT SP000359362
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSC150N03LD G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGF2953
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
50:¥337.3276
100:¥291.766
250:¥274.2397
参考库存:3163
TT8M1TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 1.5V Drive Nch+Pch MOSFET
1:¥3.6838
10:¥2.8024
100:¥1.5142
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
参考库存:73395
CPC3703CTR
IXYS Integrated Circuits
晶体管
MOSFET N Ch Dep Mode FET 250V
1:¥5.3788
10:¥4.7121
25:¥4.5878
50:¥4.4409
1,000:¥2.0905
参考库存:39647
APT60N60SCSG
Microsemi
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥232.5201
5:¥223.4462
10:¥215.0729
25:¥197.5579
参考库存:3729
MGSF1N02LT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SOT23 20V 75mA 90mOhm
1:¥3.4578
10:¥2.5877
100:¥1.4012
1,000:¥1.05316
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
参考库存:317921

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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