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晶体管
RD3H045SPTL1参考图片

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RD3H045SPTL1

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK)
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数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.6839
56.839
100
¥4.3618
436.18
500
¥3.8533
1926.65
2,500
¥3.8533
9633.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
45 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
155 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
优势价格，RD3H045SPTL1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTA124XMB,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Resistor Equipped Transistor
10,000:¥0.35369
20,000:¥0.33787
50,000:¥0.31527
100,000:¥0.27685
参考库存:33291
SCT30N120D2
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晶体管
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490:¥131.4755
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双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
6,000:¥0.45313
9,000:¥0.40002
24,000:¥0.37629
45,000:¥0.32318
参考库存:33301
PSMN8R9-100BSEJ
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMN8R9-100BSE/SOT404/D2PAK
800:¥10.1474
1,600:¥8.3733
3,200:¥7.8422
5,600:¥7.5032
参考库存:33306
NVMFS6H836NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T8 80V SO8FL
1,500:¥4.294
9,000:¥4.1358
参考库存:231349

  • 海量现货

    50万现货SKU

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