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晶体管
TK750A60F,S4X参考图片

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TK750A60F,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A
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1
¥9.7632
9.7632
10
¥7.8422
78.422
100
¥6.8591
685.91
500
¥6.7574
3378.7
1,000
¥6.5314
6531.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220SIS-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
-
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
TK750A60F
商标
Toshiba
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
45 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMG6968UTS-13
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SI4936ADY-T1-GE3
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5,000:¥4.4861
10,000:¥4.3166
参考库存:35425

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    50万现货SKU

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