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晶体管
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STGD10HF60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
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数量单价合计
1
¥14.5205
14.5205
10
¥12.3735
123.735
100
¥9.831
983.1
500
¥8.6106
4305.3
2,500
¥6.6896
16724
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.75 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
18 A
Pd-功率耗散
62.5 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD10HF60KD
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格，STGD10HF60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQD9N25TM-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 250V N-Channel QFET
1:¥8.7575
10:¥7.4806
100:¥5.7517
500:¥5.0737
2,500:¥3.5595
10,000:查看
参考库存:27876
2N2896
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥158.1322
5:¥151.0697
10:¥146.3011
25:¥134.47
参考库存:27881
RJH1CF7RDPQ-80#T2
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥52.9405
10:¥47.2566
25:¥42.488
50:¥40.6461
参考库存:27886
DTD743ZETL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0453
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:27891
BC857C RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.25312
参考库存:27896

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