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晶体管
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ZVN2120GTA

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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8815
2881.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
320 mA
Rds On-漏源导通电阻
10 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
系列
ZVN2120
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,ZVN2120GTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Linear Constant Current VCM Driver
1:¥4.3053
10:¥3.5482
100:¥2.1583
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:14044
晶体管
MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥11.526
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
2,500:¥5.2658
5,000:查看
参考库存:73271
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 3.1mOhms 100A
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2659
参考库存:16673
晶体管
MOSFET 40V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥7.2998
10:¥6.2263
100:¥4.7686
500:¥4.2149
2,500:¥2.9493
10,000:查看
参考库存:239670
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥11.4469
10:¥11.30
25:¥9.5259
100:¥8.6784
2,000:¥5.9438
4,000:查看
参考库存:10037
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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