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晶体管
TK40A06N1,S4X参考图片

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TK40A06N1,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NCh 8.4ohm VGS10V10uAVDS60V
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数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.0116
60.116
100
¥4.6104
461.04
500
¥4.0793
2039.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
8.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK40A06N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK40A06N1,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FZT3019
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power Transistor
1:¥2.9945
10:¥2.3278
100:¥1.2656
1,000:¥0.95259
4,000:¥0.82264
参考库存:41096
SPD08P06PGXT
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2
1:¥6.9947
10:¥5.8082
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
2,500:¥2.5312
参考库存:13918
FDC6324L
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-6 LOAD SW 20V
1:¥4.5313
10:¥3.8194
100:¥2.4634
1,000:¥1.9775
3,000:¥1.6724
参考库存:24055
FDD390N15ALZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET NCh150V,26A,42m ohms PowerTrench MOSFET
1:¥7.9891
10:¥6.8478
100:¥5.2658
500:¥4.6443
2,500:¥3.2544
10,000:查看
参考库存:1817
2SK2145-GR(TE85L,F
Toshiba
晶体管
JFET Junction FET N-Ch x2 1.2 to 14mA 10mA
1:¥5.3788
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥1.7967
参考库存:23899

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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