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晶体管
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SPD08P06PGXT

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库存：13,918(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.8082
58.082
100
¥3.7516
375.16
1,000
¥3.0058
3005.8
2,500
¥2.5312
6328
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8.83 A
Rds On-漏源导通电阻
230 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 13 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
G SP000450534 SPD08P06P SPD08P06PGBTMA1
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，SPD08P06PGXT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FB10R06KL4G_B1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 15A
20:¥319.6544
40:¥306.2865
100:¥277.5506
260:¥267.9456
参考库存:30706
DMP1022UWS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥2.0679
20,000:¥1.9775
参考库存:30711
TSM60NB900CP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V 4Amp 0.9OHMS N channel Power Mosfet
15,000:¥3.4465
24,375:¥3.3674
参考库存:30716
NVMFS5C410NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V HEFET
5,000:¥6.9608
10,000:¥6.6896
参考库存:30721
PD57070S-E
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
400:¥394.3474
参考库存:30726

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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