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晶体管
BFR740L3RHE6327XTSA1参考图片

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BFR740L3RHE6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4692
54.692
100
¥3.5256
352.56
1,000
¥2.825
2825
15,000
¥2.2035
33052.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR740L3
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
160
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
40 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
40 GHz
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
740L3RH BFR BFR74L3RHE6327XT E6327 SP000252393
单位重量
0.500 mg
商品其它信息
优势价格，BFR740L3RHE6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN014-80YLX
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMN014-80YL/LFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥5.763
10:¥4.7799
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
1,500:¥2.0792
参考库存:50675
FS820R08A6P2LBBPSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE
1:¥4,717.6709
5:¥4,433.3629
参考库存:2867
DMTH6016LSD-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:14564
NZT651
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Current Driver
1:¥5.2997
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
4,000:¥1.921
参考库存:42816
FS75R07N2E4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 75A 650V
1:¥616.9461
5:¥605.5783
10:¥578.3792
25:¥559.0901
参考库存:2838

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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