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晶体管
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FQI7N60TU

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库存:6,375(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.8257
16.8257
10
¥14.2945
142.945
100
¥11.4469
1144.69
500
¥9.9892
4994.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
7.4 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FQI7N60
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
6.4 S
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
FQI7N60TU_NL
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,FQI7N60TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
5,000:¥7.8422
参考库存:25298
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -100V -6A 65W
1:¥8.7575
10:¥7.7631
25:¥6.9834
100:¥6.1133
参考库存:24695
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
1:¥5.0737
10:¥3.8872
100:¥2.8928
500:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.8419
参考库存:13582
晶体管
MOSFET Dual N-Channel
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:70829
晶体管
MOSFET Automotive MOSFET 40 FET 40V, 5A, 65mOhm
1:¥10.7576
10:¥9.2208
100:¥7.0286
500:¥6.2037
2,500:¥4.3505
10,000:查看
参考库存:2226
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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