RN1606(TE85L,F)详细信息_RN1606(TE85L,F)相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SM-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	300 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1606
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
工作温度范围	- 55 C to + 150 C
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BUK9675-55A,118	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	MOSFET TAPE13 PWR-MOS	1:¥6.3732 10:¥5.2432 100:¥3.3787 800:¥2.7007 2,400:¥2.2939	参考库存:29354
NTR1P02LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -20V -1.3A P-Channel	1:¥3.842 10:¥2.4521 100:¥1.05316 1,000:¥0.80682 3,000:¥0.61472	参考库存:128436
SI5418DU-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET	1:¥10.2152 10:¥8.4524 100:¥6.4523 500:¥5.5596 1,000:¥5.2545 3,000:¥4.8703	参考库存:18313
MRF134	MACOM	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB	1:¥241.8878 10:¥223.6835 25:¥214.6096 50:¥205.547	参考库存:2695
CE3520K3-C1	CEL	晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C	1:¥12.2153 10:¥9.605 100:¥7.684 500:¥6.1472 10,000:¥4.7121	参考库存:36837