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晶体管
CSD17304Q3参考图片

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CSD17304Q3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
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库存:25,293(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.4579
54.579
100
¥4.181
418.1
500
¥3.6951
1847.55
2,500
¥2.5877
6469.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
56 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
5.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD17304Q3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
48 S
开发套件
TPS65090EVM
下降时间
3.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns
单位重量
40.600 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17304Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
2,500:¥4.6104
参考库存:13689
晶体管
MOSFET 60V/20V NCh PowerTrench MOSFET
1:¥14.2945
10:¥12.1362
100:¥9.6841
500:¥8.5315
1,000:¥7.0286
2,500:¥6.5427
参考库存:12671
晶体管
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-363
1:¥4.5313
10:¥3.6838
100:¥2.8024
500:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.6724
参考库存:75323
晶体管
IGBT 模块 1200V 800A
1:¥1,217.1456
5:¥1,187.7882
10:¥1,158.363
25:¥1,142.0684
参考库存:1295
晶体管
MOSFET -30V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:44362
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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