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晶体管
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CSD17304Q3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.4579
54.579
100
¥4.181
418.1
500
¥3.6951
1847.55
2,500
¥2.5877
6469.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
56 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
5.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD17304Q3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
48 S
开发套件
TPS65090EVM
下降时间
3.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.1 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns
单位重量
40.600 mg
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
1:¥3.7629
10:¥2.486
100:¥1.3899
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
参考库存:14583
IRF8113TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 16.6A 6mOhm 24nC
1:¥6.2263
10:¥5.198
100:¥3.3561
1,000:¥2.6894
4,000:¥2.6894
参考库存:27735
NSBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.71416
参考库存:29927
SIHP15N65E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥29.5834
10:¥26.4307
100:¥21.8203
250:¥19.5942
500:¥17.8992
参考库存:3769
RQ1C065UNTR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:14151

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    50万现货SKU

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