NSBA114YDXV6T1G详细信息_NSBA114YDXV6T1G相关参数PDF

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：29,927(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	0.021
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	357 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	NSBA114YDXV6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.55 mm
长度	1.6 mm
宽度	1.2 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

优势价格，NSBA114YDXV6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMN3027LFG-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A	1:¥4.8364 10:¥4.0454 100:¥2.6103 1,000:¥2.0905 2,000:¥2.0905	参考库存:9661
FS150R12KE3	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 1200V 150A FL BRIDGE	1:¥1,470.7176 5:¥1,435.3712 10:¥1,399.7197 25:¥1,380.0464	参考库存:5473
IPW65R080CFDAFKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3	1:¥82.829 10:¥74.8399 25:¥71.3821 100:¥62.0144	参考库存:6750
FDN340P	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SSOT-3 P-CH -20V	1:¥3.1527 10:¥2.4295 100:¥1.3221 1,000:¥0.99101 3,000:¥0.85315	参考库存:169637
R6015KNZC8	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET	1:¥22.3627 10:¥18.984 100:¥15.142 500:¥13.2888	参考库存:8234