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晶体管
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FP25R12W2T4_B11

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数量单价合计
1
¥380.1998
380.1998
5
¥371.7474
1858.737
10
¥354.7748
3547.748
25
¥339.8588
8496.47
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.25 V
在25 C的连续集电极电流
39 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
175 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
系列
IGBT4
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
FP25R12W2T4B11BOMA1 SP000413966
单位重量
39 g
商品其它信息
优势价格，FP25R12W2T4_B11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC123JCA-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTORS
3,000:¥0.29945
9,000:¥0.25312
24,000:¥0.23843
45,000:¥0.22261
99,000:¥0.20001
参考库存:24545
EMF21T2R
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP/NPN
1:¥3.842
10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
8,000:¥0.95259
24,000:查看
参考库存:24550
P12F60HP2-5600
Shindengen
晶体管
MOSFET High Switching Speed High Voltage
1:¥21.9785
10:¥18.984
100:¥16.9839
250:¥15.8313
参考库存:24555
BCP5116H6433XTMA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.7629
10:¥3.1753
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
4,000:¥1.2769
参考库存:24560
P13F50HP2-5600
Shindengen
晶体管
MOSFET High Switching Speed High Voltage
1:¥18.3625
10:¥15.8313
100:¥14.2154
250:¥13.221
参考库存:24565

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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