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晶体管
JANS2N3637/TR参考图片

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JANS2N3637/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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¥549.8693
27493.465
100
¥538.3433
53834.33
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-205AD-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
175 V
集电极—基极电压 VCBO
175 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
300 at - 50 mA, - 10 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
55 at 100 uA, 10 V
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，JANS2N3637/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC856AW,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
3,000:¥0.16159
9,000:¥0.13786
24,000:¥0.13108
45,000:¥0.11526
99,000:¥0.09266
参考库存:35799
NVMFD5C668NLWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 60V S08FL DUAL
1,500:¥5.2658
4,500:¥5.0624
9,000:¥4.8703
参考库存:35804
MRF8P20165WHR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4
250:¥811.9728
参考库存:35809
DSC7Q01S0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
1,000:¥2.8815
参考库存:35814
DMA261050R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:35819

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    50万现货SKU

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