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晶体管
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RM4N700LD-T

  • Rectron
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  • MOSFET D-PAK MOSFET
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数量单价合计
2,500
¥3.1527
7881.75
5,000
¥2.8702
14351
10,000
¥2.6216
26216
25,000
¥2.5764
64410
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
46 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格,RM4N700LD-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:28966
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
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100:¥282.2288
250:¥257.9564
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1,300:¥4.5539
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1:¥26.668
10:¥22.6678
100:¥19.6733
250:¥18.6676
1,000:¥14.0572
2,000:查看
参考库存:28986
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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