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晶体管
SISS65DN-T1-GE3参考图片

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SISS65DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8S
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库存：31,154(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥5.6274
56.274
100
¥4.2714
427.14
500
¥3.5256
1762.8
1,000
¥2.825
2825
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8S-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
94 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
138 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
65.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
62 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
20 ns
商品其它信息
优势价格，SISS65DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N2222AUB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥127.3962
10:¥115.8024
25:¥107.1127
50:¥101.3497
参考库存:35288
PBSS5330X,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-13
4,000:¥0.72998
8,000:¥0.68365
24,000:¥0.63054
48,000:¥0.60681
100,000:¥0.58421
参考库存:35293
JANTXV2N3498L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥158.9797
250:¥145.9169
500:¥138.8544
参考库存:35298
STP260N6F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI
1:¥46.7142
10:¥39.7308
100:¥34.4198
250:¥32.657
参考库存:11148
SSM3J36FS(T5L,F,T)
Toshiba
晶体管
MOSFET Small-Signal MOSFETs Single
暂无价格
参考库存:35305

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