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晶体管
BS170-D27Z参考图片

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BS170-D27Z

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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.1752
117.52
1,000
¥0.89948
899.48
2,000
¥0.7684
1536.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
830 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BS170
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
0.32 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
零件号别名
BS170_D27Z
单位重量
286 mg
商品其它信息
优势价格,BS170-D27Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 121Amp 3.3mOhm N Chan Mosfet
1:¥11.1418
10:¥9.9101
100:¥7.8422
500:¥6.0681
2,500:¥4.3392
5,000:查看
参考库存:24817
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:24822
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.90626
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.25312
参考库存:24827
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥254.0353
250:¥232.1359
参考库存:24832
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0227
100:¥0.84524
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.45313
参考库存:24837
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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