TSM033NB04CR RLG详细信息_TSM033NB04CR RLG相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PDFN56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Id-连续漏极电流	121 A
Rds On-漏源导通电阻	3.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	77 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	107 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Reel
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	64 S
下降时间	17 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	22 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	35 ns
典型接通延迟时间	7 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SQ3426AEEV-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified	1:¥5.3788 10:¥4.7008 100:¥3.9098 500:¥2.9154 3,000:¥1.9888 6,000:查看	参考库存:207055
DMTH6010LPSQ-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A	1:¥10.3734 10:¥8.8366 100:¥6.78 500:¥5.989 1,000:¥4.7234 2,500:¥4.7234	参考库存:4807
SIHA11N80E-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK	1:¥27.4364 10:¥22.7469 100:¥18.7467 250:¥18.1365 500:¥16.2946	参考库存:8939
CSD19536KTTT	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 100V N-Channel NexFET Power MOSFET	1:¥38.7251 10:¥34.804 50:¥34.804 100:¥28.5099 250:¥26.7358	参考库存:5656
SQJB70EP-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified	1:¥6.8365 10:¥5.6048 100:¥4.3053 500:¥3.7064 1,000:¥2.9154 3,000:¥2.9154	参考库存:12608