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晶体管
SISA14DN-T1-GE3参考图片

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SISA14DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.1697
41.697
100
¥3.164
316.4
500
¥2.6103
1305.15
1,000
¥2.0905
2090.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
4.25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
65 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格,SISA14DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
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晶体管
MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC
1:¥43.3355
10:¥36.8041
100:¥31.8886
250:¥30.2727
500:¥27.12
参考库存:6715
晶体管
MOSFET N-Chan 30V 44A 34W lvl MOSFET in LFPAK
1:¥4.1471
10:¥3.4465
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
1,500:¥1.6159
参考库存:13757
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Matched PNP Tra
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:98809
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥399.4098
5:¥386.0419
10:¥373.4424
25:¥345.3958
参考库存:1731
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    50万现货SKU

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