NSBC114YPDXV6T1G详细信息_NSBC114YPDXV6T1G相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	0.21
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-563-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80, 140
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	357 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	NSBC114YPDXV6
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
高度	0.55 mm
长度	1.6 mm
宽度	1.2 mm
商标	ON Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	4000
子类别	Transistors
单位重量	3 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CGH60015D-GP4	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt	10:¥358.9219	参考库存:3672
SQ1902AEL-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified	1:¥3.9211 10:¥2.9945 100:¥2.2261 500:¥1.8193 3,000:¥1.2882 6,000:查看	参考库存:88094
TPS1120DR	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET	1:¥14.5996 10:¥12.4526 100:¥9.9892 500:¥8.7575 2,500:¥6.7122 5,000:查看	参考库存:19621
NTB6413ANT4G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET D2PAK 100V 40A 30MO	1:¥14.5996 10:¥12.3735 100:¥9.9101 500:¥8.6784 800:¥7.1755	参考库存:13423
AFT05MP075GNR1	NXP / Freescale	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G	1:¥165.8953 10:¥152.5274 25:¥145.77 100:¥128.8652 500:¥111.2598	参考库存:5915