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晶体管
APT75GN60LDQ3G参考图片

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APT75GN60LDQ3G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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库存:2,547(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥90.061
90.061
10
¥81.0662
810.662
25
¥73.8455
1846.1375
50
¥68.7718
3438.59
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
155 A
Pd-功率耗散
536 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
155 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
155 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格,APT75GN60LDQ3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K
1:¥4.6895
10:¥3.9324
100:¥2.3956
1,000:¥1.8532
3,000:¥1.582
参考库存:17466
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
2,000:¥4.0906
参考库存:10733
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
1:¥17.5941
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.4525
1,000:¥8.6784
参考库存:37170
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥6.9156
10:¥5.65
100:¥4.3392
500:¥3.729
1,000:¥2.938
2,500:¥2.938
参考库存:109037
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.0684
10:¥9.9892
3,000:¥9.9892
参考库存:25699
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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