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晶体管
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R6015KNZC8

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
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数量单价合计
1
¥22.3627
22.3627
10
¥18.984
189.84
100
¥15.142
1514.2
500
¥13.2888
6644.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PF-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
27.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
Super Junction-MOS KN
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
360
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
R6015KNZ
单位重量
5.500 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥4.4522
2,000:¥4.4522
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10:¥1.7289
100:¥0.72207
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25:¥567.0792
参考库存:25778

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    50万现货SKU

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