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晶体管
DMN10H700S-7参考图片

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DMN10H700S-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
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库存:47,053(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.89157
89.157
1,000
¥0.68365
683.65
3,000
¥0.52206
1566.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
700 mA
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.4 ns
典型接通延迟时间
2.5 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMN10H700S-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block II
1:¥7.684
10:¥6.5314
100:¥5.0285
250:¥5.0285
500:¥4.4409
参考库存:9700
晶体管
MOSFET UF 300V 120MOHM U DPAK
1:¥21.5943
10:¥18.3625
100:¥14.6787
500:¥12.8368
800:¥10.5994
2,400:¥10.5316
参考库存:5307
晶体管
达林顿晶体管 4A 100V 40W PNP
1:¥5.2206
10:¥4.3392
100:¥2.8024
1,000:¥2.2487
参考库存:39439
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥9.1417
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥4.972
1,000:¥4.7008
3,000:¥4.3618
参考库存:40766
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:104553
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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