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晶体管
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NPT2021

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
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数量单价合计
1
¥562.0846
562.0846
2
¥552.9429
1105.8858
5
¥541.1118
2705.559
10
¥532.4221
5324.221
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
14.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
160 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
14 mA
输出功率
45 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
TO-272
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
商标
MACOM
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.8 V
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，NPT2021的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SQD40131EL_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥9.5259
10:¥7.8422
100:¥6.0116
500:¥5.1754
2,000:¥3.8081
4,000:查看
参考库存:40215
FDMT800152DC
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET FET 150V 9.0 MOHMS PQFN88
1:¥45.7198
10:¥41.3354
25:¥39.4144
100:¥34.1938
3,000:¥25.0521
参考库存:19357
CSD19535KTTT
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 100V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥25.7414
10:¥23.2102
50:¥23.2102
100:¥18.984
250:¥17.7523
参考库存:12184
BCP56TF
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Discretes AEC-Q101
1:¥3.0736
10:¥1.9549
100:¥0.83733
1,000:¥0.64523
参考库存:60896
DTC143ZUBHZGTL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-323FL 4.7kO Input Resist
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:48213

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    50万现货SKU

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