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晶体管
TK39N60W5,S1VF参考图片

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TK39N60W5,S1VF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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库存：17,241(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥71.6872
71.6872
10
¥64.5456
645.456
25
¥58.7826
1469.565
50
¥57.3249
2866.245
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38.8 A
Rds On-漏源导通电阻
62 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
135 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
270 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK39N60W5
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
120 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
200 ns
典型接通延迟时间
180 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，TK39N60W5,S1VF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMPB12UNEX
Nexperia
晶体管
MOSFET PMPB12UNE/SOT1220/REEL 7" Q1/T
1:¥3.9211
10:¥3.2318
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
3,000:¥1.3108
参考库存:25587
NVR5124PLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T1 60V PCH
1:¥3.6838
10:¥2.8137
100:¥1.5255
1,000:¥1.1413
3,000:¥0.9831
9,000:¥0.92208
参考库存:424269
FF650R17IE4V
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥4,132.3761
参考库存:3686
STW33N60DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥34.2729
10:¥29.1201
100:¥25.199
250:¥23.8995
参考库存:6088
SQJ968EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥9.7632
10:¥8.6106
100:¥6.8252
500:¥5.2884
1,000:¥4.1697
3,000:¥3.7855
参考库存:27875

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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