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产品分类

晶体管
TK39N60W5,S1VF参考图片

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TK39N60W5,S1VF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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库存:17,241(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥71.6872
71.6872
10
¥64.5456
645.456
25
¥58.7826
1469.565
50
¥57.3249
2866.245
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38.8 A
Rds On-漏源导通电阻
62 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
135 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
270 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.94 mm
系列
TK39N60W5
宽度
5.02 mm
商标
Toshiba
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
120 ns
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
200 ns
典型接通延迟时间
180 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,TK39N60W5,S1VF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥15.7522
10:¥13.3679
100:¥10.6785
500:¥9.2999
2,500:¥7.2207
5,000:查看
参考库存:114564
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
1:¥37.5725
10:¥31.9677
25:¥31.3462
100:¥27.6624
参考库存:6506
晶体管
MOSFET PT3 75V
1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
参考库存:8643
晶体管
IGBT 晶体管 600V DC-1kHz
1:¥13.447
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥7.9891
1,000:¥6.667
2,000:¥6.667
参考库存:32160
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 17A STripFET V Power
1:¥7.9891
10:¥6.7574
100:¥5.198
500:¥4.5878
3,000:¥3.2092
9,000:查看
参考库存:4867
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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