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晶体管
SIR626LDP-T1-RE3参考图片

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SIR626LDP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:31,152(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.8312
13.8312
10
¥11.4469
114.469
100
¥8.9157
891.57
500
¥7.7631
3881.55
3,000
¥6.0229
18068.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
186 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
135 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
140 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
64 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
优势价格,SIR626LDP-T1-RE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3
1:¥5.3788
10:¥4.4974
100:¥2.9041
1,000:¥2.3278
参考库存:15201
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
5,000:¥9.831
参考库存:7373
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥12.3735
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3676
800:¥6.102
参考库存:7740
晶体管
MOSFET N-Chnl 450V
1:¥11.9102
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0964
1,000:¥5.876
4,000:¥5.876
参考库存:27252
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥24.8148
10:¥21.131
100:¥18.2834
250:¥17.3681
500:¥15.594
参考库存:7054
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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